パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際―MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 (POWER ELECTRONICS)
カテゴリー: 古本, 楽譜・スコア・音楽書, エンターテイメント
著者: 春乃 れぃ
出版社: 新書館, クイン出版
公開: 2016-09-08
ライター: 佐々木 閑
言語: 韓国語, 英語, ドイツ語, ロシア語
フォーマット: Audible版, epub
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CiNii 図書 - Power electronics.
高密度エネルギ・デバイスを正しく使いこなす ... スイッチング電源のコイル/トランス設計 : 磁気回路-コア選択-巻き線の難題を解く ... パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 : MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子..
2004年8月号 | バックナンバー情報.
よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門 | 山崎 浩 |本 | 通販 | Amazon.
パワーデバイスの選択と使い方 | Power Semiconductor Devices ....
SiC-MOSFETとは-IGBTとの違い.
トランジスタとしては、低周波・小電力領域でバイポーラトランジスタが、高速な動作や、ローパワーで低損失を必要とするものにはパワーMOSFETが、比較的電力の大きなスイッチには絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(以下 IGBT)が ....
パワーMOS FET活用の基礎と実際.
FETの使い方&選定ガイド | マルツオンライン.
パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際.
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スタ)は,MOSFETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー半導体デ. バイスです. ... パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際. 第1章. IGBTの ... ジスタの出力電流がお互いのベース電流となるので,最初に上面側のNPNトラン..
スイッチング用パワーMOS-FET. MOS-FETは真空管やバイポーラトランジスタなどと同じ能動素子(増幅作用のある部品)の一種で現代エレクトロニクスの主役です。マイコンや各種LSIの中身はほとんどがMOS-FETです。しかし、ほとんど ....
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